Справочник IGBT. IXGH17N100U1

 

IXGH17N100U1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH17N100U1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH17N100U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  ixys
 ixgh17n100u1.pdf pdf_icon

IXGH17N100U1

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXGH 17 N100U1 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT with Diode IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 VCombi PacksSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AG = Gate, C = Collector,IC90

 4.1. Size:48K  ixys
 ixgh17n100.pdf pdf_icon

IXGH17N100U1

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AIC90 TC = 90C17 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C

 4.2. Size:76K  ixys
 ixgh17n100au1.pdf pdf_icon

IXGH17N100U1

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXGH 17 N100U1 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT with Diode IXGH 17 N100AU1 1000 V 34 A 4.0 VCombi PacksSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AG = Gate, C = Collector,IC90

 4.3. Size:48K  ixys
 ixgh17n100a.pdf pdf_icon

IXGH17N100U1

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 17 N100 1000 V 34 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 17 N100A 1000 V 34 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C34 AIC90 TC = 90C17 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH12N90C , IXGH15N120B , IXGH15N120BD1 , IXGH15N120C , IXGH15N120CD1 , IXGH17N100 , IXGH17N100A , IXGH17N100AU1 , CRG40T60AN3H , IXGH20N100 , IXGH20N30 , IXGH20N30S , IXGH20N60B , IXGH20N60BD1 , IXGH22N50B , IXGH22N50BU1 , IXGH22N50C .

History: MGY25N120D | IKD06N60RF | FGB3040G2-F085 | IGP30N60H3

 

 
Back to Top

 


 
.