IXGH20N30S - аналоги и описание IGBT

 

IXGH20N30S - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH20N30S

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO247SMD

 Аналог (замена) для IXGH20N30S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH20N30S даташит

 ..1. Size:146K  ixys
ixgh20n30 ixgh20n30s.pdfpdf_icon

IXGH20N30S

 5.1. Size:75K  ixys
ixgh20n30.pdfpdf_icon

IXGH20N30S

IXGH20N30 VCES = 300 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 40 A VCE(sat)typ = 1.45 V tfi(typ) = 180 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C (TAB) IC25 TC = 25 C40 A C E IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A G = Gate, C = Collector, E = E

 7.1. Size:568K  ixys
ixgh20n120b ixgt20n120b.pdfpdf_icon

IXGH20N30S

IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM

 7.2. Size:53K  ixys
ixgh20n100 ixgt20n100.pdfpdf_icon

IXGH20N30S

IXGH 20N100 VCES = 1000 V IGBT IXGT 20N100 IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.0 V tfi(typ) = 280 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V E VGES Continuous 20 V (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A S

Другие IGBT... IXGH15N120C , IXGH15N120CD1 , IXGH17N100 , IXGH17N100A , IXGH17N100AU1 , IXGH17N100U1 , IXGH20N100 , IXGH20N30 , CRG60T60AN3H , IXGH20N60B , IXGH20N60BD1 , IXGH22N50B , IXGH22N50BU1 , IXGH22N50C , IXGH24N50B , IXGH24N50BU1 , IXGH24N60B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.