AIHD10N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AIHD10N60R
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
Тип корпуса: TO252
- подбор IGBT транзистора по параметрам
AIHD10N60R Datasheet (PDF)
aihd10n60r.pdf

AIHD10N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution
aihd15n60r.pdf

AIHD15N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution
aihd15n60rf.pdf

AIHD15N60RFTRENCHSTOPTM RC-Drives Fast SeriesIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching lossesG Operating range of 4 to 30kHzE Smooth switching performance leading to low EMI levels Very tight paramet
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: FGD3245G2-F085C | RGTH80TS65D | HGT1S1N120BNDS | MPBP15N65EF | 1MBI3600U4D-120 | IRGPS66160D | APT12GT60KRG
History: FGD3245G2-F085C | RGTH80TS65D | HGT1S1N120BNDS | MPBP15N65EF | 1MBI3600U4D-120 | IRGPS66160D | APT12GT60KRG



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor