AIHD15N60R Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AIHD15N60R
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AIHD15N60R
AIHD15N60R Datasheet (PDF)
aihd15n60r.pdf

AIHD15N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution
aihd15n60rf.pdf

AIHD15N60RFTRENCHSTOPTM RC-Drives Fast SeriesIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching lossesG Operating range of 4 to 30kHzE Smooth switching performance leading to low EMI levels Very tight paramet
aihd10n60r.pdf

AIHD10N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Optimised V and V for low conduction lossesCEsat FG Smooth switching performance leading to low EMI levelsE Very tight parameter distribution
Другие IGBT... 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , AIGW50N65F5 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , FGPF4536 , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926