Справочник IGBT. AIKW50N65DF5

 

AIKW50N65DF5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIKW50N65DF5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: AK50EDF5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.66 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 108 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AIKW50N65DF5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1985K  infineon
 aikw50n65df5.pdf pdf_icon

AIKW50N65DF5

AIKW50N65DF5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltageG Low gate charge QGE IGBT copacked with RAPID 1 f

 4.1. Size:1980K  infineon
 aikw50n65dh5.pdf pdf_icon

AIKW50N65DF5

AIKW50N65DH5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltageE

 6.1. Size:1971K  infineon
 aikw50n60ct.pdf pdf_icon

AIKW50N65DF5

AIKW50N60CTTRENCHSTOPTM SeriesLow Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technologywith soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diodeCFeatures: Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175CG Dynamically stress testedE Shor

Другие IGBT... AIKP20N60CT , AIKQ100N60CT , AIKQ120N60CT , AIKW20N60CT , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 , AIKW40N65DH5 , AIKW50N60CT , IHW20N120R3 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , AUIRGP4062D-E , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60DLC , DDB2U30N08VR , DDB6U134N16RR-B11 .

 

 
Back to Top

 


 
.