AUIRGP4062D-E - аналоги и описание IGBT

 

AUIRGP4062D-E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AUIRGP4062D-E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 129 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AUIRGP4062D-E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AUIRGP4062D-E даташит

 ..1. Size:621K  international rectifier
auirgb4062d auirgp4062d auirgp4062d-e.pdfpdf_icon

AUIRGP4062D-E

PD - 96353 AUIRGB4062D AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E C INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IC = 24A, TC = 100 C Features Low VCE (on) Trench IGBT Technology G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Low Switching Losses 5 s SCSOA E Square RBSOA VCE(on) typ. = 1.60V 100% of The Parts Tested for ILM n-channel Positive V

 ..2. Size:554K  infineon
auirgp4062d auirgp4062d-e.pdfpdf_icon

AUIRGP4062D-E

 3.1. Size:314K  international rectifier
auirgp4062d.pdfpdf_icon

AUIRGP4062D-E

PD - 96353A AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V Features IC = 24A, TC = 100 C Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C 5 s SCSOA Square RBSOA E VCE(on) typ. = 1.60V 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Co

 3.2. Size:432K  international rectifier
auirgp4062d1.pdfpdf_icon

AUIRGP4062D-E

AUIRGP4062D1 AUTOMOTIVE GRADE AUIRGP4062D1-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH C VCES = 600V ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features Low VCE (on) Trench IGBT Technology IC(Nominal) = 24A Low Switching Losses 5 s SCSOA G tSC 5 s, TJ(max) = 175 C Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (on) Temperature Coefficient. E VCE(on) ty

Другие IGBT... AIKW20N60CT , AIKW30N60CT , AIKW40N65DF5 , AIKW40N65DH5 , AIKW50N60CT , AIKW50N65DF5 , AIKW50N65DH5 , AIKW75N60CT , SGT50T65FD1PN , AUIRGP4063D-E , AUIRGPS4070D0 , BSM150GB60QQQ , DDB2U30N08VR , DDB6U134N16RR-B11 , DDB6U180N16RR-B11 , DDB6U30N08VR , DDB6U75N16W1R .

History: DDB2U30N08VR | AFGHL50T65SQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.