Справочник IGBT. F3L100R07W2E3-B11

 

F3L100R07W2E3-B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L100R07W2E3-B11
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 117 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1100 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для F3L100R07W2E3-B11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

F3L100R07W2E3-B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:819K  infineon
 f3l100r07w2e3-b11.pdf pdf_icon

F3L100R07W2E3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L100R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

 1.1. Size:767K  infineon
 f3l100r07w2e3 b11.pdf pdf_icon

F3L100R07W2E3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L100R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 100A / I = 200AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

 7.1. Size:1149K  infineon
 f3l100r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

F3L100R07W2E3-B11

/ Technical InformationIGBT-F3L100R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200VCESI = 50A

 7.2. Size:985K  infineon
 f3l100r12w2h3-b11.pdf pdf_icon

F3L100R07W2E3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L100R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.