Справочник IGBT. F3L150R12W2H3-B11

 

F3L150R12W2H3-B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: F3L150R12W2H3-B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

F3L150R12W2H3-B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:996K  infineon
 f3l150r12w2h3-b11.pdf pdf_icon

F3L150R12W2H3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications

 1.1. Size:1158K  infineon
 f3l150r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

F3L150R12W2H3-B11

/ Technical InformationIGBT-F3L150R12W2H3_B11IGBT-ModuleEasyPACK 2 and PressFIT / NTCEasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200VCESI = 75A / I = 150AC nom CRM

 7.1. Size:777K  infineon
 f3l150r07w2e3 b11.pdf pdf_icon

F3L150R12W2H3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L150R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

 7.2. Size:830K  infineon
 f3l150r07w2e3-b11.pdf pdf_icon

F3L150R12W2H3-B11

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L150R07W2E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 150A / I = 300AC nom CRMTypische Anwendungen Typic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , CRG15T120BNR3S , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 .

History: DM2G150SH12AE | TT060U065FB | SPM1003 | APT15GT60KR

 

 
Back to Top

 


 
.