F3L150R12W2H3-B11 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: F3L150R12W2H3-B11
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75(100C) A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L150R12W2H3-B11
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
F3L150R12W2H3-B11 даташит
f3l150r12w2h3-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications
f3l150r12w2h3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L150R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 75A / I = 150A C nom CRM
f3l150r07w2e3 b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typic
f3l150r07w2e3-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 150A / I = 300A C nom CRM Typische Anwendungen Typic
Другие IGBT... DF200R12PT4-B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , F3L100R07W2E3-B11 , F3L100R12W2H3-B11 , F3L150R07W2E3-B11 , IRGP4086 , F3L15R12W2H3-B27 , F3L25R12W1T4-B27 , F3L300R12ME4-B22 , F3L300R12ME4-B23 , F3L300R12MT4-B22 , FB20R06W1E3-B11 , FD1200R17HP4-K-B2 , FD150R12RT4 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a