Справочник IGBT. IHW30N120R5

 

IHW30N120R5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW30N120R5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H30MR5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 330
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 55
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 235
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW30N120R5

 

 

IHW30N120R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1440K  infineon
 ihw30n120r5.pdf

IHW30N120R5 IHW30N120R5

IHW30N120R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter distributionG- high ruggedness, temperature stable behaviorE- low VCEsat- easy parallel switching capability due to positive

 4.1. Size:1950K  infineon
 ihw30n120r3.pdf

IHW30N120R5 IHW30N120R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW30N120R3Data sheetIndustrial Power ControlIHW30N120R3Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter d

 4.2. Size:579K  infineon
 ihw30n120r2.pdf

IHW30N120R5 IHW30N120R5

IHW30N120R2 Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic body diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TM TrenchStop and Fieldstop technology for 1200V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior

 4.3. Size:360K  infineon
 ihw30n120r2 rev1 5g.pdf

IHW30N120R5 IHW30N120R5

IHW30N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NP

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top