IHW30N120R5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IHW30N120R5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: H30MR5
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 235 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IHW30N120R5
IHW30N120R5 Datasheet (PDF)
ihw30n120r5.pdf
IHW30N120R5Resonant Switching SeriesReverse Conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter distributionG- high ruggedness, temperature stable behaviorE- low VCEsat- easy parallel switching capability due to positive
ihw30n120r3.pdf
Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW30N120R3Data sheetIndustrial Power ControlIHW30N120R3Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology offering:- very tight parameter d
ihw30n120r2.pdf
IHW30N120R2 Resonant Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic body diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TM TrenchStop and Fieldstop technology for 1200V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior
ihw30n120r2 rev1 5g.pdf
IHW30N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages TrenchStop and Fieldstop technology for 1200 V applications GEoffers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NP
Другие IGBT... IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S , IHW25N120E1 , GT30F125 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 , IKA10N65ET6 , IKA15N65ET6 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2