Справочник IGBT. IHW30N160R5

 

IHW30N160R5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW30N160R5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 42 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IHW30N160R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1758K  infineon
 ihw30n160r5.pdf pdf_icon

IHW30N160R5

IHW30N160R5Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltage TRENCHSTOPTM technology applications offers:- very tight parameter distribution- high ruggedness, temperature stable behaviorG- low VCEsatE- easy parallel switching capability due to positivetemperature coeffic

 4.1. Size:391K  infineon
 ihw30n160r2 rev2 1g.pdf pdf_icon

IHW30N160R5

IHW30N160R2 Soft Switching Series TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and Fieldstop technology for 1600 V applications offers : GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior

 4.2. Size:391K  infineon
 ihw30n160r2.pdf pdf_icon

IHW30N160R5

IHW30N160R2 Soft Switching Series TrenchStop Reverse Conducting (RC-)IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and Fieldstop technology for 1600 V applications offers : GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior

 7.1. Size:1646K  infineon
 ihw30n110r3 1 2.pdf pdf_icon

IHW30N160R5

IGBTReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW30N110R31100V TRENCHSTOPTM IH-Series for Soft Switching ApplicationsData sheetIndustrial & MultimarketIHW30N110R3TRENCHSTOPTM IH-Series for Soft Switching ApplicationsReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S , IHW25N120E1 , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IRG4PC50UD , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 , IKA10N65ET6 , IKA15N65ET6 , IKB15N65EH5 , IKB20N65EH5 .

History: APTGT300U120D4 | IXGT30N60C3D1 | RJH1CM5DPQ-E0 | DL2G50SH6N | SKM200GB123D | TT040K120EQ | MMG200DR120B

 

 
Back to Top

 


 
.