IKA15N65ET6 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKA15N65ET6
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K15EET6
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.3 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 34 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 37 nC
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IKA15N65ET6
IKA15N65ET6 Datasheet (PDF)
ika15n65et6.pdf

IKA15N65ET6TRENCHSTOP IGBT6IGBT in trench and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallelRapid diodeCFeatures and Benefits: Very low V 1.5V (typ.)CE(sat) Maximum junction temperature 175C Short circuit withstand time 3sTrench and field-stop technology for 650V applications offers :G very tight parameter distributionE high rugg
ika15n65h5.pdf

IGBTHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKA15N65H5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKA15N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diode
ika15n65f5.pdf

IGBTHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diodeIKA15N65F5650V DuoPack IGBT and DiodeHigh speed switching series fifth generationData sheetIndustrial Power ControlIKA15N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed 5 FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparal
ika15n60t.pdf

IKA15N60T TRENCHSTOP Series q Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode CFeatures: Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C G Short circuit withstand time 5s E TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers : - ve
Другие IGBT... IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 , IKA10N65ET6 , GT30J122 , IKB15N65EH5 , IKB20N65EH5 , IKB30N65EH5 , IKB30N65ES5 , IKB40N65EF5 , IKB40N65EH5 , IKB40N65ES5 , IKD06N60RF .
History: OST60N65H4EMF | MMG200DR120DE | MIXA61H1200ED
History: OST60N65H4EMF | MMG200DR120DE | MIXA61H1200ED



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404