IKB40N65ES5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKB40N65ES5
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 79 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 71 pF
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IKB40N65ES5
IKB40N65ES5 Datasheet (PDF)
ikb40n65es5.pdf

IKB40N65ES5High speed switching series 5th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 fast and soft anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.35V at nominal currentCEsat 650V breakdown voltageG Low
ikb40n65eh5.pdf

IKB40N65EH5High speed switching series 5th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked with full rated current RAPID 1 fas
ikb40n65ef5.pdf

IKB40N65EF5High speed switching series 5th generationTRENCHSTOPTM 5 high Speed fast switching IGBT with full current ratedRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits:High speed F5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked with full rated current RA
Другие IGBT... IKA10N65ET6 , IKA15N65ET6 , IKB15N65EH5 , IKB20N65EH5 , IKB30N65EH5 , IKB30N65ES5 , IKB40N65EF5 , IKB40N65EH5 , FGH30S130P , IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E .
History: VS-GB100TP120N | IXBR42N170 | SGP5N60RUFD | FB15R06W1E3 | IXYH100N65B3 | TP020N120CA
History: VS-GB100TP120N | IXBR42N170 | SGP5N60RUFD | FB15R06W1E3 | IXYH100N65B3 | TP020N120CA



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor