IKD15N60RC2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKD15N60RC2
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K15DRC2
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 115.4
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 28
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 18
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 28
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 72
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IKD15N60RC2
IKD15N60RC2 Datasheet (PDF)
ikd15n60rc2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IKD15N60RC2TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsCost effective monolithically integrated IGBT with DiodeCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplications offering Very tight parameter distribution Operating range up to 20kHzG Maximum junction temperature 175CE Short circuit capability of 3s Humidity robus
ikd15n60rf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD15N60RFTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications up to 30 kHzData sheetIndustrial Power ControlIKD15N60RFTRENCHSTOPTM RC-Drives Fast SeriesIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600Vapplica
ikd15n60ra.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD15N60RA600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsData sheetIndustrial Power ControlIKD15N60RATRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 6
ikd15n60r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IGBTIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageIKD15N60R600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsData sheetIndustrial Power ControlIKD15N60RTRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applicationsIGBT with integrated diode in packages offering space saving advantageCFeatures:TRENCHSTOPTM Reverse Conducting (RC) technology for 600
Другие IGBT... IKB15N65EH5 , IKB20N65EH5 , IKB30N65EH5 , IKB30N65ES5 , IKB40N65EF5 , IKB40N65EH5 , IKB40N65ES5 , IKD06N60RF , CRG60T60AK3HD , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET .
![IKD15N60RC2](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IKD15N60RC2](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IKD15N60RC2](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ