IKFW50N65DH5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKFW50N65DH5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K50EDH5
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 124 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 59 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 57 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IKFW50N65DH5 Datasheet (PDF)
ikfw50n65dh5.pdf

IKFW50N65DH5TRENCHSTOPTM 5 Advanced IsolationHigh speed 5 IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked with RAPID 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures and Benefits:TRENCHSTOPTM 5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown
ikfw50n60et.pdf

IKFW50N60ETTRENCHSTOPTM Advanced IsolationTRENCHSTOPTM IGBT copacked with Rapid 1 fast and soft antiparallel diodein fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Very low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast recovery anti-parallel diode
ikfw50n60dh3.pdf

IKFW50N60DH3TRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMIG Very soft, fast recovery anti-parallel
ikfw50n60dh3e.pdf

IKFW50N60DH3ETRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMIG Very soft, fast recovery anti-parallel
Другие IGBT... IKB40N65EH5 , IKB40N65ES5 , IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , GT60N321 , IKFW60N60DH3E , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 , IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IKP39N65ES5 .
History: APT30GN60BDQ2G | 1MBI3600U4D-170 | APT50GF120LRG | TGL40N120ND
History: APT30GN60BDQ2G | 1MBI3600U4D-170 | APT50GF120LRG | TGL40N120ND



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640