2SH19 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: 2SH19
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для 2SH19

 

 

2SH19 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 , NCE80TD65BT , 2SH20 , 2SH21 , 2SH22 , 2SH26 , 2SH27 , 2SH28 , 2SH29 , 2SH30 .