Справочник IGBT. IXGH25N100

 

IXGH25N100 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH25N100
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH25N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  ixys
 ixgh25n100.pdf pdf_icon

IXGH25N100

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C50 AIC90 TC = 90C25 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C, 1 m

 0.1. Size:227K  ixys
 ixgh25n100u1.pdf pdf_icon

IXGH25N100

Preliminary data VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat)High speed IGBTIXGH25N100U1 1000 V 50 A 3.5 VIXGH25N100AU1 1000 V 50 A 4.0 Vwith DiodeTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VGCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VG = Gate C = CollectorVGEM Transient 30 VE = Emitter TAB = CollectorI

 0.2. Size:227K  ixys
 ixgh25n100au1.pdf pdf_icon

IXGH25N100

Preliminary data VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat)High speed IGBTIXGH25N100U1 1000 V 50 A 3.5 VIXGH25N100AU1 1000 V 50 A 4.0 Vwith DiodeTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VGCEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VG = Gate C = CollectorVGEM Transient 30 VE = Emitter TAB = CollectorI

 0.3. Size:76K  ixys
 ixgh25n100a.pdf pdf_icon

IXGH25N100

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C50 AIC90 TC = 90C25 A TO-204 AE (IXGM)ICM TC = 25C, 1 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH22N50BU1 , IXGH22N50C , IXGH24N50B , IXGH24N50BU1 , IXGH24N60B , IXGH24N60BU1 , IXGH24N60C , IXGH24N60CD1 , GT30J127 , IXGH25N100A , IXGH25N100AU1 , IXGH25N100U1 , IXGH25N120 , IXGH28N30 , IXGH28N30A , IXGH28N30B , IXGH28N60B .

History: MG75Q2YS42 | MSG40T120FQC | APTGF330DA60D3 | VS-GB400TH120N | BLG3040-P | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D

 

 
Back to Top

 


 
.