IXGH25N100AU1 - аналоги и описание IGBT

 

IXGH25N100AU1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH25N100AU1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH25N100AU1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH25N100AU1 даташит

 ..1. Size:227K  ixys
 ixgh25n100au1.pdf pdf_icon

IXGH25N100AU1

Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) High speed IGBT IXGH25N100U1 1000 V 50 A 3.5 V IXGH25N100AU1 1000 V 50 A 4.0 V with Diode TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G C E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G = Gate C = Collector VGEM Transient 30 V E = Emitter TAB = Collector I

 3.1. Size:76K  ixys
 ixgh25n100a.pdf pdf_icon

IXGH25N100AU1

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C50 A IC90 TC = 90 C25 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C, 1 m

 4.1. Size:227K  ixys
 ixgh25n100u1.pdf pdf_icon

IXGH25N100AU1

Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) High speed IGBT IXGH25N100U1 1000 V 50 A 3.5 V IXGH25N100AU1 1000 V 50 A 4.0 V with Diode TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G C E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G = Gate C = Collector VGEM Transient 30 V E = Emitter TAB = Collector I

 4.2. Size:76K  ixys
 ixgh25n100.pdf pdf_icon

IXGH25N100AU1

VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IXGH/IXGM 25 N100 1000 V 50 A 3.5 V High speed IGBT IXGH/IXGM 25 N100A 1000 V 50 A 4.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C50 A IC90 TC = 90 C25 A TO-204 AE (IXGM) ICM TC = 25 C, 1 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH24N50B , IXGH24N50BU1 , IXGH24N60B , IXGH24N60BU1 , IXGH24N60C , IXGH24N60CD1 , IXGH25N100 , IXGH25N100A , MBQ50T65FDSC , IXGH25N100U1 , IXGH25N120 , IXGH28N30 , IXGH28N30A , IXGH28N30B , IXGH28N60B , IXGH32N60AS , IXGH28N90B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.