Справочник IGBT. IXGH28N30B

 

IXGH28N30B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH28N30B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 56 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH28N30B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  ixys
ixgh28n30b ixgt28n30b.pdfpdf_icon

IXGH28N30B

IXGH 28N30BVCES = 300 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N30BIC25 = 56 AVCE(sat)typ = 2.1 Vtfi(typ) = 55 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25 C to 150 C 300 VVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V CEIC25 TC = 25 C56 ATO-268IC90 TC = 90 C28 A(IXGT)ICM TC = 25 C, 1 ms 112 AGSSOA VGE= 15 V, TV

 5.1. Size:93K  ixys
ixgh28n30a ixgt28n30a.pdfpdf_icon

IXGH28N30B

IXGH 28N30A VCES = 300 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N30A IC25 = 56 AVCE(sat)typ = 1.85 Vtfi(typ) = 120 nsPreliminary dataTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25 C to 150 C 300 VGVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 VC(TAB)EVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268(IXGT)IC25 TC = 25 C56 AIC90 TC = 90 C28 A GEICM TC = 25 C, 1

 5.2. Size:93K  ixys
ixgh28n30 ixgt28n30.pdfpdf_icon

IXGH28N30B

IXGH 28N30 VCES = 300 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N30 IC25 = 56 AVCE(sat)typ = 1.6 Vtfi(typ) = 180 nsPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25 C to 150 C 300 VVCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 VGEVGES Continuous 20 V(TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25 C56 ATO-247 ADIC90 TC = 90 C28 AICM TC = 25 C, 1 ms 112 ASSOA VGE

 7.1. Size:89K  ixys
ixgh28n90b.pdfpdf_icon

IXGH28N30B

IXGH 28N90B VCES = 900 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 28N90B IC25 = 51 AVCE(SAT) = 2.7 VPreliminary data sheettfi(typ) = 130 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD(IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C51 AIC110 TC = 110C28 ATO-268 (D3)ICM TC =

Другие IGBT... IXGH24N60CD1 , IXGH25N100 , IXGH25N100A , IXGH25N100AU1 , IXGH25N100U1 , IXGH25N120 , IXGH28N30 , IXGH28N30A , IHW20N135R5 , IXGH28N60B , IXGH32N60AS , IXGH28N90B , IXGH30N30 , IXGH30N30S , IXGH30N60B , IXGH30N60BD1 , IXGH30N60BU1 .

History: IXGH30N60B | XD040Q120AT1S3 | APTGT100A120D1 | TT050U065FB | 2MBI150VA-120-50 | 2MBI150PC-140 | SKM50GAL12T4

 

 
Back to Top

 


 
.