TGAN15N120FDR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TGAN15N120FDR
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 227
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 30
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 65
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 135
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для TGAN15N120FDR
TGAN15N120FDR Datasheet (PDF)
tgan15n120fdr.pdf

TGAN15N120FDR Field Stop Trench IGBT Features 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC Qualification E C G Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark T
tgan15n120nd.pdf

TGAN15N120NDNPT Trench IGBTFeatures: 1200V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationEApplications :CInduction Heating, Soft switching application GDevice Package Marking RemarkTGAN15N120ND TO-3PN TGAN15N120ND RoHSAbsolute Maximum R
tgan15s135fd.pdf

TGAN15S135FDReverse Conducting Field Stop Trench IGBTFeatures 1350V Reverse Conducting Field Stop Trench IGBT Technology Excellent EMI Behavior High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplications Induction Hea
Другие IGBT... DGW40N65CTL , DGW50N65BTH , DGW50N65CTH , DGW50N65CTL1 , DGW60N65BTH , DGW75N65CTL1 , ATGH40N120F2DR , TGAF40N60F2D , RJP30E2DPP-M0 , TGAN15S135FD , TGAN20N135F3D , TGAN20N150FD , TGAN20S135FD , TGAN20S150FD , TGAN25N120FDR , TGAN30N135FD1 , TGAN30S135FD .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: HIA20N140IH-DA | HIA50N65IH-JA | HIA50N65H-SA | HIA50N65T-SA | HIA50N65H-JA | HIA50N65T-JA | HIA30N140CIH-DA | HIA40N120T-SA | HIW30N65T-SA | HIA30N65T-SA | HIA75N65H-SA