TGAN40N65F2DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TGAN40N65F2DS  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TGAN40N65F2DS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGAN40N65F2DS даташит

 ..1. Size:957K  trinnotech
 tgan40n65f2ds.pdf pdf_icon

TGAN40N65F2DS

TGAN40N65F2DS Field Stop Trench IGBT Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating Temperature E C G Applications UPS, Inverter, Solar, Welder Device Package Marking Remark TGAN40N65F2DS TO-3PN

 2.1. Size:890K  trinnotech
 tgan40n65f2dr.pdf pdf_icon

TGAN40N65F2DS

TGAN40N65F2DR Field Stop Trench IGBT Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant JEDEC Qualification E C G Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN40N

 6.1. Size:1095K  trinnotech
 tgan40n60fd.pdf pdf_icon

TGAN40N65F2DS

TGAN40N60FD Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification E C G Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN40N60FD TO-3PN TGAN40N60FD RoHS Absolute Maximum Ratings

 6.2. Size:882K  trinnotech
 tgan40n60f2d.pdf pdf_icon

TGAN40N65F2DS

TGAN40N60F2D Field Stop Trench IGBT Features 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification E Applications C G UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGAN40N60F2D TO-3PN TGAN40N60F2D RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Va

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TGAN40N110FD, TGAN40N120F2D, TGAN40N120F2DW, TGAN40N120FDR, TGAN40N135FD, TGAN40N60F2D, TGAN40N60F2DS, TGAN40N65F2DR, SGT60N60FD1P7, TGAN40N90FD, TGAN40S135FD, TGAN40S160FD, TGAN50N90FD, TGAN60N60F2DS, TGAN60N65F2DR, TGAN60N65F2DS, TGAN80N60F2DS