TGH40N65F2DR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TGH40N65F2DR
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 114 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 121 nC
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
TGH40N65F2DR Datasheet (PDF)
tgh40n65f2dr.pdf

TGH40N65F2DRField Stop Trench IGBTTO-247Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationG C EApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTG
tgh40n65f2ds.pdf

TGH40N65F2DSField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureG C EApplications UPS, Inverter, Solar, WelderDevice Package Marking RemarkTGH40N65F2DS
tgh40n60f2d.pdf

TGH40N60F2DField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 600V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationG C EApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGH40N60F2D TO-247 TGH40N60F2D RoHSAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbo
tgh40n120f2dr.pdf

TGH40N120F2DRField Stop Trench IGBTTO-247Features 1200V Field Stop Trench IGBT Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationG C EApplicationsUPS, Welder, Inverter, Solar, PTC H
Другие IGBT... TGAN60N60F2DS , TGAN60N65F2DR , TGAN60N65F2DS , TGAN80N60F2DS , TGAN80N65F2DS , TGH40N120F2DR , TGH40N135FD , TGH40N60F2D , CRG15T120BNR3S , TGH40N65F2DS , TGH60N65F2DR , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , HCKW25N120H2 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 .
History: OST75N65HSMF | TGAN20N120FD | SGT60U65FD1PN | SGM40HF12A1TFD | APT15GP90BG | SGTP5T60SD1S
History: OST75N65HSMF | TGAN20N120FD | SGT60U65FD1PN | SGM40HF12A1TFD | APT15GP90BG | SGTP5T60SD1S



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106