TGH60N65F2DR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: TGH60N65F2DR

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 428

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 25

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 147

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 170

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для TGH60N65F2DR

TGH60N65F2DR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:998K  trinnotech
 tgh60n65f2dr.pdf

TGH60N65F2DRField Stop Trench IGBTTO-247Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationG C EApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTG

 3.1. Size:823K  trinnotech
 tgh60n65f2ds.pdf

TGH60N65F2DSField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureG C EApplications UPS, Inverter, Solar, WelderDevice Package Marking RemarkTGH60N65F2DS

Другие IGBT... TGAN60N65F2DS , TGAN80N60F2DS , TGAN80N65F2DS , TGH40N120F2DR , TGH40N135FD , TGH40N60F2D , TGH40N65F2DR , TGH40N65F2DS , SGH80N60UFD , TGH60N65F2DS , HCKD5N65AM2 , HCKD5N65BM2 , HCKW25N120H2 , HCKW40N120BH1 , HCKW40N120CS2 , HCKW40N120H1 , MSG06T65FLD .