Справочник IGBT. TGH60N65F2DR

 

TGH60N65F2DR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGH60N65F2DR
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 147 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для TGH60N65F2DR

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGH60N65F2DR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:998K  trinnotech
 tgh60n65f2dr.pdf pdf_icon

TGH60N65F2DR

TGH60N65F2DRField Stop Trench IGBTTO-247Features 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation 175 Operating Temperature Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationG C EApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTG

 3.1. Size:823K  trinnotech
 tgh60n65f2ds.pdf pdf_icon

TGH60N65F2DR

TGH60N65F2DSField Stop Trench IGBTFeaturesTO-247 650V Field Stop Trench IGBT Technology Low Switching Loss for a Wide Temperature Range Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC Qualification 175 Operating TemperatureG C EApplications UPS, Inverter, Solar, WelderDevice Package Marking RemarkTGH60N65F2DS

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.