MSG15T65FQT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG15T65FQT
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 16 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96.5 pF
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MSG15T65FQT Datasheet (PDF)
msg15t65fqt msg15t65fqe.pdf

MSG15T65FQT/EFeature Low gate charge Trench FS Technology saturation voltageVCE(sat), typ =1.6VIC =15A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSMaximum RatingsParameter Symbol Rating UnitCollector-emitter voltage V 650 VCETc=25 30 V*DC collector current, limited by T Ivjmax CTc=100 15 Vcollector current-pul
msg15t65fl msg15t65flt msg15t65fle.pdf

MSG15T65FL/T/EFeature High ruggedness for motor control VCE(sat) positive temperature coefficient Very soft, fast recovery anti-parallel diode Low EMI Maximum junction temperature 175CApplications Inverter for motor controlMaximum RatingsParameter Symbol Rating UnitCollector-emitter voltage V 650 VCETc=25 30 VDC collector current, limited by T
msg15t120fpc.pdf

MSG15T120FPCFeatures Low gate charge FS Technology saturation voltage:VCE(sat), typ = 2.2V @IC = 15A and TC = 25C RoHS productApplications General purpose inverters Induction heating(IH) UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 1200 VCES30 AIc T=25*Collector Current-continuousT=100
msg15t120fqc.pdf

MSG15T120FQCN-Channel IGBTFeatures Low gate charge FS Technology Short circuit withstand time 10 uS Saturation voltage:VCE(sat),typ=1.8V@IC=15A and TC=25Applications General purpose inverter Induction heating(IH) UPSOrder MessageOrder codes Marking PackageMSG15T120FQC MSG15T120FQC TO-247Absolute Ratings(Tc=25)ValueParameter Symbol Uni
Другие IGBT... HCKW40N120H1 , MSG06T65FLD , MSG100D350FH , MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW , MSG15T120FQC , MSG15T120HLC0 , TGPF30N43P , MSG15T65FQE , MSG20T120FQC , MSG20T65FLE , MSG20T65FQE , MSG20T65HPC0 , MSG20T65HPE0 , MSG20T65HPT1 , MSG25T120FL .
History: IXXN200N60B3H1 | IXGC16N60C2 | 2N6976 | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX
History: IXXN200N60B3H1 | IXGC16N60C2 | 2N6976 | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834