MSG20T65FLE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG20T65FLE
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
Тип корпуса: TO263
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MSG20T65FLE Datasheet (PDF)
msg20t65fle.pdf

MSG20T65FLE650V Field stop Trench IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss High Input Impedance VCE(sat) = 1.6V @ IC = 20A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 650CESVGate-emitter voltage V 30G
msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqe msg20t65fqc.pdf

MSG20T65FQS/TMSG20T65FQE/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG20T MSG20T65FQT/ MSG20Parameter Symbol Unit65FQS MSG20T65FQE T65FQCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Col
msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqc.pdf

MSG20T65FQS/T/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG2 MSG2 MSG2Parameter Symbol 0T65F 0T65F 0T65F UnitQS QT QCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continu
msg20t65hpc0 msg20t65hpe0 msg20t65hpt1.pdf

MSG20T65HPC0/E0/T1Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Curren
Другие IGBT... MSG100T100FLN , MSG100T100FQW , MSG100T120FQW , MSG15T120FQC , MSG15T120HLC0 , MSG15T65FQT , MSG15T65FQE , MSG20T120FQC , GT30F125 , MSG20T65FQE , MSG20T65HPC0 , MSG20T65HPE0 , MSG20T65HPT1 , MSG25T120FL , MSG25T120FPC , MSG25T120FQC , MSG30D120FLB .
History: MMG400D120UA6TC | MMG75WD120XB6T4N | DAHF100G120SA
History: MMG400D120UA6TC | MMG75WD120XB6T4N | DAHF100G120SA



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor