MSG30D120FLB - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MSG30D120FLB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 342 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 69 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 126 pF
Тип корпуса: TO3PB
Аналог (замена) для MSG30D120FLB
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MSG30D120FLB даташит
msg30d120flb.pdf
MSG30D120FLB Features High Gate Charge Trench FS Technology Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.5V @ IC = 30 A RoHS Complaint Applications General Purpose inverters ups Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector to Emitter Voltage V 1200 CES V Gate to Emitter Voltage V 20 GES T =25 60 C Collector Current I C T =100 30 A
msg30t65ft msg30t65fs.pdf
MSG30T65FT/FS Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.75V,I =30A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 60 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 30 A Collector Cur
msg30t65flt.pdf
MSG30T65FLT Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.75V,I =30A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 60 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 30 A Collector Curre
msg30t65fhs msg30t65fht.pdf
MSG30T65FHS/T Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.75V,I =30A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 60 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 30 A Collector Cur
Другие IGBT... MSG20T65FLE , MSG20T65FQE , MSG20T65HPC0 , MSG20T65HPE0 , MSG20T65HPT1 , MSG25T120FL , MSG25T120FPC , MSG25T120FQC , AOK40B65H2AL , MSG30T65FHS , MSG30T65FHT , MSG30T65FLT , MSG40T120FH , MSG40T120FHW , MSG40T120FL , MSG40T120FQC , MSG40T65FFC .
History: MG75HF12MIC1
History: MG75HF12MIC1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor





