MSG30T65FHS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG30T65FHS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для MSG30T65FHS
MSG30T65FHS Datasheet (PDF)
msg30t65fhs msg30t65fht.pdf
MSG30T65FHS/TFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cur
msg30t65ft msg30t65fs.pdf
MSG30T65FT/FSFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cur
msg30t65flt.pdf
MSG30T65FLTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Curre
msg30t65ft msg30t65fs msg30t65fc.pdf
MSG30T65FT/S/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cu
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2