MSG40T65FFC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG40T65FFC
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 250
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 36
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 37
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 60
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG40T65FFC
MSG40T65FFC Datasheet (PDF)
msg40t65ffc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG40T65FFCFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.8V,I =40A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V80 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10040 ACollector Curren
msg40t65fhc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG40T65FHCFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.7V,I =40A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V80 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10040 ACollector Curren
msg40t65fl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Ordering Information Part Number Marking Temp. Range Package Packing RoHS Status MSG40T65FL 40T65FL -55~175C TO-247 Tube Halogen Free Electrical Characteristic (T = 25C unless otherwise specified) vjParameter Symbol Conditions Min Typ Max UnitStatic Characteristic Collector-emitter breakdown voltage BV I = 2mA, V = 0V 650 - - VCES C GEI = 40A, V = 15V, T = 25C 1.95 2.4
msg40t65fh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG40T65FH650V Field stop Trench IGBTFeatures Fast Switching & Low VCE[sat] High Input Impedance VCE(sat) = 1.88V @ IC = 40A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS Inverter Welding MachineAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 650CESVGate-emitter voltage
Другие IGBT... MSG30D120FLB , MSG30T65FHS , MSG30T65FHT , MSG30T65FLT , MSG40T120FH , MSG40T120FHW , MSG40T120FL , MSG40T120FQC , TGAN20N135FD , MSG40T65FH , MSG40T65FHC , MSG40T65HPC0 , MSG40T65HPE0 , MSG50N350FQC , MSG50N350HLC0 , MSG50T120FHW , MSG50T65FHC .
![MSG40T65FFC](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MSG40T65FFC](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MSG40T65FFC](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ