MSG40T65HPC0 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MSG40T65HPC0
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 131 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MSG40T65HPC0
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MSG40T65HPC0 даташит
msg40t65hpc0 msg40t65hpe0.pdf
MSG40T65HPC0/E0 Features High Speed Switching & Low Power Loss V =1.95V@ I =40A CE(sat) C Eoff=0.35mJ@Tc=25 High Input Impedance Trr=80ns(Typ)@diF/dt=1000A/us Maximum junction temperature T =175 C vjmax Applications UPS PFC Welder IH Cooker PV Inverter Absolute Ratings(Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Vol
msg40t65fhc.pdf
MSG40T65FHC Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.7V,I =40A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 80 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 40 A Collector Curren
msg40t65fl.pdf
Ordering Information Part Number Marking Temp. Range Package Packing RoHS Status MSG40T65FL 40T65FL -55 175 C TO-247 Tube Halogen Free Electrical Characteristic (T = 25 C unless otherwise specified) vj Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristic Collector-emitter breakdown voltage BV I = 2mA, V = 0V 650 - - V CES C GE I = 40A, V = 15V, T = 25 C 1.95 2.4
msg40t65ffc.pdf
MSG40T65FFC Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage V , CE(sat) type =1.8V,I =40A and TC =25 C C RoHS product Applications General purpose inverters UPS Absolute Ratings Tc=25 Parameter Symbol Value Unit Collector-Emmiter Voltage Vces 650 V 80 A Ic T=25 *Collector Current-continuous T=100 40 A Collector Curren
Другие IGBT... MSG30T65FLT , MSG40T120FH , MSG40T120FHW , MSG40T120FL , MSG40T120FQC , MSG40T65FFC , MSG40T65FH , MSG40T65FHC , TGD30N40P , MSG40T65HPE0 , MSG50N350FQC , MSG50N350HLC0 , MSG50T120FHW , MSG50T65FHC , MSG50T65FQC , MSG60T120FQW , MSG60T65FHC .
History: RJH1CM7DPQ-E0 | MSG15T120FQC | NCE120ED120VTP | NCE100TD120VTP | NCE100TD120BTP | NCE100ED75VTP4
History: RJH1CM7DPQ-E0 | MSG15T120FQC | NCE120ED120VTP | NCE100TD120VTP | NCE100TD120BTP | NCE100ED75VTP4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210





