IXGH32N60CD1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXGH32N60CD1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXGH32N60CD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH32N60CD1 даташит

 ..1. Size:160K  ixys
 ixgh32n60cd1.pdf pdf_icon

IXGH32N60CD1

IXGH 32N60CD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 32N60CD1 IC25 = 60 A with Diode VCE(SAT)typ = 2.1 V tfi(typ) = 55 ns Light Speed Series TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C60 A IC90 TC = 90 C32 A TO-268 (D

 4.1. Size:81K  ixys
 ixgh32n60c.pdf pdf_icon

IXGH32N60CD1

IXGH 32N60C VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 32N60C IC25 = 60 A LightspeedTM Series VCE(sat)typ = 2.1 V tfi typ = 55 ns TO-268 Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C60 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C32 A ICM TC =

 5.1. Size:48K  ixys
 ixgh32n60au1 ixgh32n60au1s.pdf pdf_icon

IXGH32N60CD1

IXGH 32N60AU1 IXGH 32N60AU1S VCES = 600 V IC25 = 60 A HiPerFASTTM IGBT with Diode VCE(sat) = 2.9V Combi Pack tfi = 125 ns TO-247 SMD (32N60AU1S) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G C (TAB) E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V TO-247 AD VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C60 A IC90 TC = 90 C32 A C (TAB)

 5.2. Size:48K  ixys
 ixgh32n60a.pdf pdf_icon

IXGH32N60CD1

IXGH 32N60A IXGH 32N60AS VCES = 600 V IC25 = 60 A HiPerFASTTM IGBT VCE(sat) = 2.9 V tfi = 125 ns TO-247 SMD (32N60AS) Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (TAB) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V TO-247 AD VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C60 A IC90 TC = 90 C32 A C (TAB) G ICM TC = 25 C, 1 ms 120

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH32N50B, IXGH32N50BU1, IXGH32N60A, IXGH32N60AU1, IXGH32N60B, IXGH32N60BD1, IXGH32N60BU1, IXGH32N60C, IRG4PC50W, IXGH38N60, IXGH39N60B, IXGH39N60BD1, IXGH39N60BS, IXGH40N30, IXGH40N30S, IXGH40N30A, IXGH40N30B