JT075N065WED - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги JT075N065WED. Основные параметры


   Наименование: JT075N065WED
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 539 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 430 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JT075N065WED

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT075N065WED даташит

 ..1. Size:1336K  jilin sino
 jt075n065wed.pdf pdf_icon

JT075N065WED

N N-CHANNEL IGBT R JT075N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.75V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 5.1. Size:664K  jilin sino
 jt075n065ghed.pdf pdf_icon

JT075N065WED

 8.1. Size:1447K  jilin sino
 jt075n120gped.pdf pdf_icon

JT075N065WED

N N-CHANNEL IGBT R JT075N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 1200V Vcesat-typ 1.9V APPLICATIONS General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS product Ro

 8.2. Size:835K  jilin sino
 jt075n120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT075N065WED

IGBT IGBT Modules R IGBT JT075N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JNG60T60HS , JNG75T120LS , JNG75T120QS1 , JNG75T120QZU1 , JNG75T65HXU1 , JNG75T65HYU2 , JNG80T60LS , JNG8T60FT1 , TGAN20N135FD , AOK40B65H2AL , MBQ40T120FDS , FGA40N60UFD , CRG05T60A44S-G , CRG08T60A83L , CRG08T60A93L , CRG15T120BK3SD , CRG15T60A03L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.