JT075N065WED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: JT075N065WED  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 539 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 430 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для JT075N065WED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT075N065WED даташит

 ..1. Size:1336K  jilin sino
 jt075n065wed.pdf pdf_icon

JT075N065WED

N N-CHANNEL IGBT R JT075N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.75V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 5.1. Size:664K  jilin sino
 jt075n065ghed.pdf pdf_icon

JT075N065WED

 8.1. Size:1447K  jilin sino
 jt075n120gped.pdf pdf_icon

JT075N065WED

N N-CHANNEL IGBT R JT075N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 1200V Vcesat-typ 1.9V APPLICATIONS General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS product Ro

 8.2. Size:835K  jilin sino
 jt075n120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT075N065WED

IGBT IGBT Modules R IGBT JT075N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JNG60T60HS, JNG75T120LS, JNG75T120QS1, JNG75T120QZU1, JNG75T65HXU1, JNG75T65HYU2, JNG80T60LS, JNG8T60FT1, YGP20N65T2, AOK40B65H2AL, MBQ40T120FDS, FGA40N60UFD, CRG05T60A44S-G, CRG08T60A83L, CRG08T60A93L, CRG15T120BK3SD, CRG15T60A03L