Справочник IGBT. CRG40T60AK3H

 

CRG40T60AK3H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG40T60AK3H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40T60AK3H
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 141 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 239 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG40T60AK3H

 

 

CRG40T60AK3H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  wuxi china
 crg40t60ak3h.pdf

CRG40T60AK3H CRG40T60AK3H

Silicon FS Trench IGBT CRG40T60AK3H General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 280 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO- 247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

 0.1. Size:1182K  crhj
 crg40t60an3hd crg40t60ak3hd.pdf

CRG40T60AK3H CRG40T60AK3H

CRG40T60AN3HD, CRG40T60AK3HD CRG40T60AN3HD CRG40T60AK3HD VCES 600 V FS IGBT IC 40 A RoHS Ptot TC=25 336 W VCE(sat) 1.9 V TO-3PN FS

 0.2. Size:1086K  wuxi china
 crg40t60ak3hd.pdf

CRG40T60AK3H CRG40T60AK3H

Silicon FS Trench IGBT CRG40T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 336 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

 3.1. Size:998K  wuxi china
 crg40t60ak3sd.pdf

CRG40T60AK3H CRG40T60AK3H

CRG40T60AK3SD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 280 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.7 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low sat

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top