Справочник IGBT. CRG60T60AK3H

 

CRG60T60AK3H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG60T60AK3H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G60T60AK3H
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 403
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 124
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 224
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 117
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG60T60AK3H

 

 

CRG60T60AK3H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1259K  wuxi china
 crg60t60ak3h.pdf

CRG60T60AK3H CRG60T60AK3H

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AK3H General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltag

 0.1. Size:972K  crhj
 crg60t60ak3hd.pdf

CRG60T60AK3H CRG60T60AK3H

CRG60T60AK3HD CRG60T60AK3HD FS IGBT VCES 600 V IC 60 A RoHS 483 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V TO-247 FS VCE(sat),

 0.2. Size:1303K  wuxi china
 crg60t60ak3hd.pdf

CRG60T60AK3H CRG60T60AK3H

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.85 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

 3.1. Size:1275K  wuxi china
 crg60t60ak3sd.pdf

CRG60T60AK3H CRG60T60AK3H

Silicon FS Trench IGBT CRG60T60AK3SD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 60 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 403 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.72 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturat

Другие IGBT... CRG15T60A94S , CRG15T60A84S , CRG25T120BNR3S , CRG25T135BKR3S , CRG30T60AK3HD , CRG40T60AK3H , CRG40T60AK3SD , CRG50T60AK3HD , CRG15T120BNR3S , CRG60T60AK3SD , SRE100N065FSU , SRE100N065FSU2D6 , SRE100N065FSUD6 , SRE100N065FSUD8 , SRE100N120FSUDA , SRE15N060FSUDE , SRE15N065FSUDJ .

 

 
Back to Top