GT30F133 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: GT30F133
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 30F133
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам