Справочник IGBT. OST50N65HMF

 

OST50N65HMF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST50N65HMF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 176 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 105 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для OST50N65HMF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST50N65HMF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  oriental semi
 ost50n65hmf.pdf pdf_icon

OST50N65HMF

OST50N65HMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST50N65HMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technolog

 4.1. Size:765K  oriental semi
 ost50n65hm2f.pdf pdf_icon

OST50N65HMF

OST50N65HM2F Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST50N65HM2F uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 5.1. Size:535K  oriental semi
 ost50n65hf-d.pdf pdf_icon

OST50N65HMF

OST50N65HF-D Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST50N65HF-D uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 5.2. Size:756K  oriental semi
 ost50n65hewf.pdf pdf_icon

OST50N65HMF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IRG4BC40K | XD040Q120AT1S3

 

 
Back to Top

 


 
.