Справочник IGBT. OST80N65HEVF

 

OST80N65HEVF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST80N65HEVF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 114 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 144 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1514 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

OST80N65HEVF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  oriental semi
 ost80n65hevf.pdf pdf_icon

OST80N65HEVF

OST80N65HEVF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65HEVF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 4.1. Size:767K  oriental semi
 ost80n65hemf.pdf pdf_icon

OST80N65HEVF

OST80N65HEMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65HEMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 4.2. Size:900K  oriental semi
 ost80n65hewf.pdf pdf_icon

OST80N65HEVF

 5.1. Size:804K  oriental semi
 ost80n65h4emf.pdf pdf_icon

OST80N65HEVF

OST80N65H4EMF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST80N65H4EMF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM techn

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OST75N65HSNF , OST75N65HSVF , OST75N65HSXF , OST75N65HSZF , OST75N65HTNF , OST75N65HZF , OST80N65H4EMF , OST80N65HEMF , FGPF4536 , OST80N65HSMF , OST90N60HCZF , OST90N65HM2F , OSC80N65HF , OSC90N65HF , RJH3047 , GT30F123 , GT30J127 .

History: IXGR60N60C2C1

 

 
Back to Top

 


 
.