RJH3047 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RJH3047  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RJH3047

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RJH3047 даташит

 8.1. Size:20K  1
 rjh3044.pdf pdf_icon

RJH3047

RJH3044 absolute maximum ratings (1) Collector to emitter voltage VCES 360 V (2) Gate to emitter voltage VGES 30 V (3) Collector current IC 30 A (4) Collector peak current ic(peak) 200 A (5) Collector to emitter diode Forward peak current iDF(peak) 100 A (6) Collector dissipation PC 20 W (7) Junction to case thermal impedance qj-c 6.25 'CW (8) Junction temperature Tj

 9.1. Size:152K  renesas
 r07ds0464ej rjh30h2dpk.pdf pdf_icon

RJH3047

Preliminary Datasheet RJH30H2DPK-M0 R07DS0464EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ High speed switching tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Built-in Fa

 9.2. Size:152K  renesas
 r07ds0463ej rjh30h1dpp.pdf pdf_icon

RJH3047

Preliminary Datasheet RJH30H1DPP-M0 R07DS0463EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High speed power switching Jun 15, 2011 Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current ICES = 1 A max. Built-in F

 9.3. Size:152K  renesas
 rjp30e2dpp rjh30e2 equivalent no diode.pdf pdf_icon

RJH3047

Preliminary Datasheet RJP30E2DPP-M0 R07DS0347EJ0200 Silicon N Channel IGBT Rev.2.00 High Speed Power Switching Apr 12, 2011 Features Trench gate technology (G5H series) Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ High speed switching tf = 150 ns typ Low leak current ICES = 1 A max Isolated package TO-220FL Outline RENESAS Pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OST80N65H4EMF, OST80N65HEMF, OST80N65HEVF, OST80N65HSMF, OST90N60HCZF, OST90N65HM2F, OSC80N65HF, OSC90N65HF, SGT50T65FD1PT, GT30F123, GT30J127, OST50N65HEWF, OST50N65KEW2F, OST60N65H4EMF, OST60N65H4EWF, OST75N65HSWF, OST80N65H4EWF