Справочник IGBT. OST60N65H4EMF

 

OST60N65H4EMF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST60N65H4EMF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 71 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 177 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 108 nC
   Тип корпуса: TO247-4L

 Аналог (замена) для OST60N65H4EMF

 

 

OST60N65H4EMF Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OST90N65HM2F , OSC80N65HF , OSC90N65HF , RJH3047 , GT30F123 , GT30J127 , OST50N65HEWF , OST50N65KEW2F , FGA25N120ANTD , OST60N65H4EWF , OST75N65HSWF , OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 .