Справочник IGBT. OST75N65HSWF

 

OST75N65HSWF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: OST75N65HSWF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 360 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для OST75N65HSWF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

OST75N65HSWF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:777K  oriental semi
 ost75n65hswf.pdf pdf_icon

OST75N65HSWF

 4.1. Size:768K  oriental semi
 ost75n65hsxf.pdf pdf_icon

OST75N65HSWF

OST75N65HSXF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HSXF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 4.2. Size:747K  oriental semi
 ost75n65hsvf.pdf pdf_icon

OST75N65HSWF

OST75N65HSVF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HSVF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

 4.3. Size:751K  oriental semi
 ost75n65hszf.pdf pdf_icon

OST75N65HSWF

OST75N65HSZF Enhancement Mode N-Channel Power IGBT General Description OST75N65HSZF uses advanced Oriental-Semis patented Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) technology to provide extremely low V (sat), low gate charge, and excellent switching CEperformance. This device is suitable for mid to high range switching frequency converters. Features Advanced TGBTTM technol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSC90N65HF , RJH3047 , GT30F123 , GT30J127 , OST50N65HEWF , OST50N65KEW2F , OST60N65H4EMF , OST60N65H4EWF , GT30G124 , OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , SGT15T60SD1T , SGT15T60SD1F .

History: RJH60D7DPM | GT40WR21

 

 
Back to Top

 


 
.