OST75N65HSWF - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

OST75N65HSWF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: OST75N65HSWF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 395 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 112 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 360 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 204 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для OST75N65HSWF

КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ