SGT15T60SD1STR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGT15T60SD1STR
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Тип корпуса: TO263
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGT15T60SD1STR Datasheet (PDF)
sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf
SGT15T60SD1T/F/S 15A600V C2SGT15T60SD1T/F/S 1Field Stop IIIG UPS,SMPS PFC 133 TO-263-2L E 15A600VVCE
sgt15t60qd1f.pdf
SGT15T60QD1F 15A600V C 2SGT15T60QD1F Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3E 15A600VVCE(sat)( )=1.9V@IC=15A 123
sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf
SGT15U65SD1F(FD) 15A650V C 2SGT15U65SD1F(FD) 4 1GPlusField Stop IV+ UPSSMPS PFC 3 E 15A650VVCE(sat)( )=1.6V@IC
Другие IGBT... OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , SGT15T60SD1T , SGT15T60SD1F , IRGP4086 , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 .
History: NGTB40N60FL2 | IXA20PG1200DHGLB | OST75N65HSXF | IRGB6B60K | OST25N65FMF | IRGI4086 | PDMB200E6
History: NGTB40N60FL2 | IXA20PG1200DHGLB | OST75N65HSXF | IRGB6B60K | OST25N65FMF | IRGI4086 | PDMB200E6
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460