Справочник IGBT. SGT15T60SD1STR

 

SGT15T60SD1STR - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGT15T60SD1STR
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SGT15T60SD1STR

 

 

SGT15T60SD1STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  silan
 sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf

SGT15T60SD1STR SGT15T60SD1STR

SGT15T60SD1T/F/S 15A600V C2SGT15T60SD1T/F/S 1Field Stop IIIG UPS,SMPS PFC 133 TO-263-2L E 15A600VVCE

 6.1. Size:321K  silan
 sgt15t60qd1f.pdf

SGT15T60SD1STR SGT15T60SD1STR

SGT15T60QD1F 15A600V C 2SGT15T60QD1F Field Stop1G UPS,SMPS PFC 3E 15A600VVCE(sat)( )=1.9V@IC=15A 123

 9.1. Size:331K  silan
 sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf

SGT15T60SD1STR SGT15T60SD1STR

SGT15U65SD1F(FD) 15A650V C 2SGT15U65SD1F(FD) 4 1GPlusField Stop IV+ UPSSMPS PFC 3 E 15A650VVCE(sat)( )=1.6V@IC

Другие IGBT... OST80N65H4EWF , OST80N65HEWF , SGT10T60SD1S , SGT10T60SD1F , SGT10T60SDM1D , SGT10T60SDM1P7 , SGT15T60SD1T , SGT15T60SD1F , FGA60N65SMD , SGT15U65SD1F , SGT15U65SD1FD , SGT20T135QR1P7 , SGT20T135QR1PN , SGT20T135QR1PT , SGT20T60SD1F , SGT20T60SD1S , SGT20T60SD1P7 .

 

 
Back to Top