Справочник IGBT. SGT20T60SD1PN

 

SGT20T60SD1PN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGT20T60SD1PN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 20T60SD1
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 52 nC
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGT20T60SD1PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  silan
 sgt20t60sd1f sgt20t60sd1s sgt20t60sd1str sgt20t60sd1p7 sgt20t60sd1fd sgt20t60sd1pn sgt20t60sd1t.pdf pdf_icon

SGT20T60SD1PN

SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 20A600V C 21SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T)GField Stop III1 UPSSMPS PFC 323TO-3PE 13

 4.1. Size:519K  silan
 sgt20t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT20T60SD1PN

SGT20T60SDM1P7 20600V C2SGT20T60SDM1P7 Field Stop1G UPSSMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=1.7V@IC=20A

 8.1. Size:329K  silan
 sgt20t135qr1p7 sgt20t135qr1pn sgt20t135qr1pt.pdf pdf_icon

SGT20T60SD1PN

SGT20T135QR1P7(PN)(PT) 20A1350V C 2SGT20T135QR1P7/PN/PT 1Reverse ConductingG

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101

 

 
Back to Top

 


 
.