Справочник IGBT. SGTP40V120F2P7

 

SGTP40V120F2P7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP40V120F2P7
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: P40V120F2P7
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 66 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 130 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGTP40V120F2P7

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP40V120F2P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  silan
 sgtp40v120f2p7.pdf pdf_icon

SGTP40V120F2P7

SGTP40V120F2P7 40A, 1200V C 2SGTP40V120F2P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)()=1.9V@IC

 3.1. Size:499K  silan
 sgtp40v120fdb2p7.pdf pdf_icon

SGTP40V120F2P7

SGTP40V120FDB2P7 40A1200V C 2SGTP40V120FDB2P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A1200VVCE(sat)( )=1.9V@IC=40A

 7.1. Size:505K  silan
 sgtp40v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP40V120F2P7

SGTP40V60SD2PF 40A600V C 2SGTP40V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 40A600VVCE(sat)( )=1.35V@IC=40A

 7.2. Size:509K  silan
 sgtp40v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP40V120F2P7

SGTP40V60FD2PU 40A600V C2 1GSGTP40V60FD2PU Field Stop 53UPSSMPS PFC E 40A600VVCE(sat)( )=1.55V@IC=40A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.