SGTP50V60FD2PU - аналоги и описание IGBT

 

SGTP50V60FD2PU - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SGTP50V60FD2PU

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 58 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF

Тип корпуса: TO247N

 Аналог (замена) для SGTP50V60FD2PU

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP50V60FD2PU даташит

 ..1. Size:414K  silan
 sgtp50v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60FD2PU 50A 600V C 2 SGTP50V60FD2PU 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 600V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 1.1. Size:396K  silan
 sgtp50v60fd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60FD2PF 50A 600V C 2 SGTP50V60FD2PF 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 600V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 5.1. Size:556K  silan
 sgtp50v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60SD2PF 50A 600V C 2 SGTP50V60SD2PF 1 G Field Stop 5 UPS SMPS PFC 3 E 50A 600V VCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 6.1. Size:472K  silan
 sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , MGD623S , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR .

History: CRG30T60AK3HD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.