Справочник IGBT. SGTP50V60FD2PU

 

SGTP50V60FD2PU Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP50V60FD2PU
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 58 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Тип корпуса: TO247N
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP50V60FD2PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  silan
 sgtp50v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60FD2PU 50A600V C 2SGTP50V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 1.1. Size:396K  silan
 sgtp50v60fd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60FD2PF 50A600V C 2SGTP50V60FD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 5.1. Size:556K  silan
 sgtp50v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60SD2PF 50A600V C 2SGTP50V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 6.1. Size:472K  silan
 sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101

 

 
Back to Top

 


 
.