Справочник IGBT. SGTP50V60FD2PU

 

SGTP50V60FD2PU Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGTP50V60FD2PU
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: P50V60FD2
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 58 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 63 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 131 nC
   Тип корпуса: TO247N
 

 Аналог (замена) для SGTP50V60FD2PU

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGTP50V60FD2PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  silan
 sgtp50v60fd2pu.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60FD2PU 50A600V C 2SGTP50V60FD2PU 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 1.1. Size:396K  silan
 sgtp50v60fd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60FD2PF 50A600V C 2SGTP50V60FD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.65V@IC=50A

 5.1. Size:556K  silan
 sgtp50v60sd2pf.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V60SD2PF 50A600V C 2SGTP50V60SD2PF 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A600VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

 6.1. Size:472K  silan
 sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon

SGTP50V60FD2PU

SGTP50V65SDB1P7 50A650V C 2SGTP50V65SDB1P7 1GField Stop 5UPSSMPS PFC 3E 50A650VVCE(sat)( )=1.45V@IC=50A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGTP40V120F2P7 , SGTP40V120FDB2P7 , SGTP40V60FD2PU , SGTP40V60SD2PF , SGTP40V65FDR1P7 , SGTP40V65SDB1P7 , SGTP50T120FDB4PWA , SGTP50V60FD2PF , FGL60N100BNTD , SGTP50V60SD2PF , SGTP50V65FD2PU , SGTP50V65FDB1P7 , SGTP50V65SDB1P7 , SGTP50V65UF1P7 , SGTP50V65UFCR3P7 , SGTP5T60SD1DTR , SGTP5T60SD1STR .

History: NCE15TD60BP

 

 
Back to Top

 


 
.