SL15T65FK datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: SL15T65FK 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 182 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 57 pF
Тип корпуса: TO263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SL15T65FK
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SL15T65FK даташит
sl15t65ff sl15t65f sl15t65fk.pdf
SL15T65 Feature High ruggedness for motor control VCE(sat) positive temperature coefficient Very soft, fast recovery anti-parallel diode Low EMI Maximum junction temperature 175 C Applications Inverter for motor control Maximum Ratings Parameter Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage V 650 V CE Tc=25 30 V DC collector current, limited by T I vjma
Другие IGBT... SGTQ200V75SDB1PWA, SGTQ200V75SDB1PWD, SGTQ30NE40I1DTR, SGTQ40T120SDB2P7, SGT10U60SDM2D, BGF15T65SD, SL15T65FF, SL15T65F, KGF75N65KDF, SL20T65F, SL20T65, SL20T65FZ, SL20T65FL, SL20T65FL1, SL20T65K1, SL20T65F1, SL25T120FL
History: IRGB4061D | IRG7PH50U
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458

