Справочник IGBT. SIW30N65G21F

 

SIW30N65G21F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SIW30N65G21F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 170
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 41
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 82
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SIW30N65G21F

 

 

SIW30N65G21F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1094K  cn super semi
sif30n65g21f sip30n65g21f siw30n65g21f sib30n65g21f.pdf

SIW30N65G21F
SIW30N65G21F

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*30N65G21FRev. 0.91Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIF30N65G21F/SIP30N65G21F/SIW30N65G21F/SIB30N65G21F650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 30 Atechnology. Th

 7.1. Size:1095K  cn super semi
sif30n60g21b sip30n60g21b siw30n60g21b sib30n60g21b.pdf

SIW30N65G21F
SIW30N65G21F

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor600V Trench and Super Junction IGBTSI*30N60G21BRev. 0.91Jul. 2023www.supersemi.com.cnSIF30N60G21B/SIP30N60G21B/SIW30N60G21B/SIB30N60G21B600V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 600 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 30 Atechnology. Th

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top