SIW30N65G21F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SIW30N65G21F  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 82 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SIW30N65G21F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SIW30N65G21F даташит

 ..1. Size:1094K  cn super semi
 sif30n65g21f sip30n65g21f siw30n65g21f sib30n65g21f.pdf pdf_icon

SIW30N65G21F

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 650V Trench and Super Junction IGBT SI*30N65G21F Rev. 0.91 Jul. 2023 www.supersemi.com.cn SIF30N65G21F/SIP30N65G21F/SIW30N65G21F/ SIB30N65G21F 650V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 650 V designed according to the super junction (SJ) IC 30 A technology. Th

 7.1. Size:1095K  cn super semi
 sif30n60g21b sip30n60g21b siw30n60g21b sib30n60g21b.pdf pdf_icon

SIW30N65G21F

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 600V Trench and Super Junction IGBT SI*30N60G21B Rev. 0.91 Jul. 2023 www.supersemi.com.cn SIF30N60G21B/SIP30N60G21B/SIW30N60G21B/ SIB30N60G21B 600V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 V designed according to the super junction (SJ) IC 30 A technology. Th

Другие IGBT... SL25T120FL, SL40T65FL1, SIF30N60G21B, SIP30N60G21B, SIW30N60G21B, SIB30N60G21B, SIF30N65G21F, SIP30N65G21F, FGD4536, SIB30N65G21F, GT40T321, KDG20N120H2, SKT030N065, ATT030N065EQ, ATT040K065EQ, ATT040N120EQ, ATT050K065FQC