Справочник IGBT. ATT030N065EQ

 

ATT030N065EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ATT030N065EQ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для ATT030N065EQ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

ATT030N065EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1550K  jilin sino
 att030n065eq.pdf pdf_icon

ATT030N065EQ

N N-CHANNEL IGBT RATT030N065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package I 30A CV 650V CEV -TYP 1.7V CE satAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

Другие IGBT... SIB30N60G21B , SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , SGT50T65FD1PT , ATT040K065EQ , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED .

History: 2MBI150U4A-120 | SKM400GAL062D

 

 
Back to Top

 


 
.