Справочник IGBT. ATT040K065EQ

 

ATT040K065EQ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ATT040K065EQ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 340
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 84
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 193
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 79.2
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для ATT040K065EQ

 

 

ATT040K065EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1548K  jilin sino
att040k065eq.pdf

ATT040K065EQ
ATT040K065EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

 8.1. Size:1487K  jilin sino
att040n120eq.pdf

ATT040K065EQ
ATT040K065EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15VAPPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

Другие IGBT... SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , RJP30E2DPP-M0 , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED .

 

 
Back to Top