Справочник IGBT. ATT040K065EQ

 

ATT040K065EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: ATT040K065EQ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 84 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 193 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 79.2 nC
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

ATT040K065EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1548K  jilin sino
 att040k065eq.pdf pdf_icon

ATT040K065EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS

 8.1. Size:1487K  jilin sino
 att040n120eq.pdf pdf_icon

ATT040K065EQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT040N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 40 A VCE 1200V Vcesat-typ 1.5V Vge=15VAPPLICATIONS New Energy Vehicle PTC PTC FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

Другие IGBT... SIF30N65G21F , SIP30N65G21F , SIW30N65G21F , SIB30N65G21F , GT40T321 , KDG20N120H2 , SKT030N065 , ATT030N065EQ , IXGH60N60 , ATT040N120EQ , ATT050K065FQC , ATT060U060EQ , ATT075N065EQ , JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED .

History: NGTB45N60S | TT075N065EQ | MSG50T65FHC | DIM400PBM17-A | IXXH50N60B3D1 | MMG600WB065B6TC | HGT1S3N60B3S

 

 
Back to Top

 


 
.