JT020N065CED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT020N065CED
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 43.9 nC
Тип корпуса: TO-220C
Аналог (замена) для JT020N065CED
JT020N065CED Datasheet (PDF)
jt020n065sed jt020n065ced jt020n065wed jt020n065fed.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT020N065SED/CED/WED/FED MAIN CHARACTERISTICS Package I 20 A CBV 650V CESVCESAT-typ 1.6V V =15V GEAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS TO-263 FEATURES TO-220C Low gate charge Trenc
jt020n135wed.pdf
N N-CHANNEL IGBT R JT020N135WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 20 A VCES 1350V VCESAT-TYPVGE=15V 1.7V APPLICATIONS IH Induction heating(IH) Inverterized microwave ovens Soft switching applications FEATURES
Другие IGBT... JT010N065SED , JT010N065CED , JT010N065FED , JT010N065WED , JT015N065SED , JT015N065CED , JT015N120F7PD1E , JT020N065SED , GT30G124 , JT020N065WED , JT020N065FED , JT020N135WED , JT030N065AED , JT030N065F6MD1E , JT030N065F7PD1E , JT030N065WED , JT030N065FED .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2