IXGN50N60BD3 - аналоги и описание IGBT

 

IXGN50N60BD3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXGN50N60BD3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 290 pF
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXGN50N60BD3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXGN50N60BD3

 ..1. Size:147K  ixys
 ixgn50n60bd3 ixgn50n60bd2.pdf pdf_icon

IXGN50N60BD3

IXGN 50N60BD2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGN 50N60BD3 IC25 = 75 A with HiPerFRED VCE(sat) = 2.5 V tfi = 150 ns Buck & boost configurations ...BD2 ...BD3 Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOC E 153432 1 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V 4 IC25 TC = 25 C75 A 3 IC90

 4.1. Size:133K  ixys
 ixgn50n60b.pdf pdf_icon

IXGN50N60BD3

HiPerFASTTM IGBT IXGN 50N60B VCES = 600 V IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.3 V tfi(typ) = 120ns Preliminary data sheet E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B miniBLOC E153432 E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A C IC90 TC = 90 C50 A G = Gate, C = Collector

 7.1. Size:189K  ixys
 ixgn50n120c3h1.pdf pdf_icon

IXGN50N60BD3

Advance Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGN50N120C3H1 IC110 = 50A IGBT w/ Diode VCE(sat) 4.2V High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E

Другие IGBT... IXGM17N100A , IXGM25N100 , IXGM25N100A , IXGN200N60 , IXGN200N60A , IXGN200N60B , IXGN50N60B , IXGN50N60BD2 , IRG4PC40W , IXGN60N60 , IXGP12N100 , IXGP12N100A , IXGP12N100AU1 , IXGP12N100U1 , IXGP12N60C , IXGP12N60CD1 , IXGP15N100C .

 

 
Back to Top

 


 
.