Справочник IGBT. IXGN50N60BD3

 

IXGN50N60BD3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGN50N60BD3

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 150

Корпус: SOT227B

Аналог (замена) для IXGN50N60BD3

 

 

IXGN50N60BD3 Datasheet (PDF)

1.1. ixgn50n60b.pdf Size:133K _ixys

IXGN50N60BD3
IXGN50N60BD3

HiPerFASTTM IGBT IXGN 50N60B VCES = 600 V IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.3 V tfi(typ) = 120ns Preliminary data sheet E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B miniBLOC E153432 E VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V G VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V E IC25 TC = 25°C75 A C IC90 TC = 90°C50 A G = Gate, C = Collector

3.1. ixgn50n120c3h1.pdf Size:189K _ixys

IXGN50N60BD3
IXGN50N60BD3

Advance Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGN50N120C3H1 IC110 = 50A IGBT w/ Diode ≤ VCE(sat) ≤ ≤£ 4.2V ≤ ≤ High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25°C to 150°C 1200 V G VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 1200 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V E

 

Другие IGBT... IXGM17N100A , IXGM25N100 , IXGM25N100A , IXGN200N60 , IXGN200N60A , IXGN200N60B , IXGN50N60B , IXGN50N60BD2 , STGW20NC60VD , IXGN60N60 , IXGP12N100 , IXGP12N100A , IXGP12N100AU1 , IXGP12N100U1 , IXGP12N60C , IXGP12N60CD1 , IXGP15N100C .

 

 
Back to Top