TT050U065FB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TT050U065FB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 64 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 185 pF
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для TT050U065FB
TT050U065FB Datasheet (PDF)
tt050u065fb.pdf
N N-CHANNEL IGBT RTT050U065FB MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCE 650V VCEsat-TYP 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS
tt050u065fbc.pdf
N N-CHANNEL IGBT RTT050U065FBC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.4V APPLICATIONS Charging pile Built in SiC SBD UPS UPS Solar converters Energy Storage FEATURES Low gate c
att050k065fqc.pdf
N N-CHANNEL IGBT RATT050K065FQC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.35V APPLICATIONS Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD FEATURES Low gate
tt050k065fq.pdf
N N-CHANNEL IGBT RTT050K065FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.55V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2