Справочник IGBT. NCE100ED65VTP4

 

NCE100ED65VTP4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NCE100ED65VTP4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 606 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 206 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 197 nC
   Тип корпуса: TO-247P-4L
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NCE100ED65VTP4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1092K  ncepower
 nce100ed65vtp4.pdf pdf_icon

NCE100ED65VTP4

NCE100ED65VTP4650V 100A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC

 1.1. Size:1179K  ncepower
 nce100ed65vtp.pdf pdf_icon

NCE100ED65VTP4

NCE100ED65VTP650V 100A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC =

 2.1. Size:1119K  ncepower
 nce100ed65vt4.pdf pdf_icon

NCE100ED65VTP4

NCE100ED65VT4650V 100A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC =

 2.2. Size:1166K  ncepower
 nce100ed65vt.pdf pdf_icon

NCE100ED65VTP4

NCE100ED65VT650V 100A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRGB6N65DP , BRGH15N120D , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 , NCE100ED65VTP , GT30F124 , NCE100ED75VT , NCE100ED75VT4 , NCE100ED75VTP4 , NCE100TD120BTP , NCE100TD120VTP , NCE100TD120VTP4 , NCE120ED120VTP , NCE120ED120VTP4 .

History: BRGB6N65DP

 

 
Back to Top

 


 
.